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No.110923

正社員

【愛知】次世代パワー半導体のデバイス・プロセス開発

電動車向けパワー半導体のデバイスおよびプロセス開発
自社で開発ラインを保有しており、設計から試作・評価まで一貫して手掛けることができるため、半導体エンジニアとしての専門性を飛躍的に高めることができます。
年齢や役職にとらわれず意見を言い合えるフラットな組織風土があり、他業界(民生・産業機器など)からのキャリア入社者も多数活躍しています。
屋内禁煙 
仕事内容 モビリティの電動化を牽引する次世代パワー半導体(SiC、GaN)のデバイス設計、およびプロセス加工技術の研究開発を担当します。

電動車のモータを駆動するための重要なキーデバイスであり、燃費向上や小型化に直結する次世代技術の実用化を目指します。
開発ラインを保有し、自ら考案したデバイスのシミュレーション設計からプロセス加工による試作、評価、解析までの一連の開発サイクルを回すことができる、エンジニアにとって非常に魅力的な環境です。
※本ポジションは、大手自動車部品メーカーと大手自動車メーカーが合弁で設立した半導体研究開発会社への出向となります。

 製品、背景、先端情報:
地球環境問題の解決に向け、モビリティの電動化は急速に進んでおり、既存のSiに代わる次世代半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET等)の開発競争が世界中で激化しています。
これらの次世代パワー半導体は、低損失化や電池搭載量の削減、航続距離の向上に大きく寄与するため、良品廉価で高信頼性な製品のスピーディな開発が求められています。
素子開発にとどまらず、パワーモジュールやインバータ開発部署、さらには車両メーカーと密接に連携しながら開発を進めるダイナミックな事業領域です。

ポジション詳細:
電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術、ウェハ技術の研究開発及び試作品評価
・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計
・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、 技術動向調査
・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発
・パワーデバイスのウェハ(基板、エピ成長など)技術の開発
・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発
・試作品の評価、分析、解析

仕事内容:
・次世代パワー半導体のデバイス設計およびプロセス開発
・シミュレーション(CAE/CAD)を活用した構造・レイアウト設計
・ウェハ加工およびプロセスインテグレーションの推進
・試作品の評価およびメカニズム解析
・社内外の専門機関(大学、研究機関等)との共同開発推進

 この求人のキーワード:
・パワー半導体
・SiC
・GaN
・デバイス設計
・プロセス開発
・ウェハ技術
・インバータ
・電動化(EV)
・研究開発
・愛知勤務
職種 技術 (電気/電子/半導体) 研究/開発(電気/電子/半導体)
勤務地 愛知県
勤務時間 8時間勤務(休憩時間60分)
残業:-
給与(時給・年収) 年収 550万円~1600万円
応募資格 <MUST要件>
・半導体に関する知識を有すること 
・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験
 (研究開発、量産経験は問いません)

活かせるスキル・経験 <WANT要件>
・パワー半導体に関する知識を有すること 
・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験(3年以上)
・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者

COMPANY INFORMATION

機械・自動車・輸送機器メーカー
大手自動車サプライヤーとして電装部品の製造・販売及び、自動車会社(OEM)から研究開発を請け負う研究所内の一部門で、次世代SoCの研究開発を行っています。
AD/ADASの周辺監視/自動駐車システムにおけるAIを用いたアルゴリズム実装に取り組み、高精度な認識と軽量化・高速化を追求しています。キャリア採用者が7割を超える多様性に富んだ職場で、年齢や役職に関係なくフラットに議論できるオープンな組織文化を持ち、競争力向上に貢献する先行技術開発を行っています。

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